開(kāi)發(fā)金屬管浮子流量計(jì)的新的更快,可擴(kuò)展的方法
電子學(xué)的未來(lái)部分取決于硅導(dǎo)體的修改和發(fā)展。
分子電子學(xué)可以為此做出貢獻(xiàn),并且該領(lǐng)域的研究人員一直在致力于開(kāi)發(fā)可擴(kuò)展的納米級(jí)電極,該電極可用于探索和操縱分子行為以使電子材料受益。
現(xiàn)在,KTH的微和納米系統(tǒng)系的一個(gè)團(tuán)隊(duì)已成功開(kāi)發(fā)出一種方法,可以開(kāi)發(fā)數(shù)百萬(wàn)個(gè)可行的納米級(jí)分子結(jié)。該發(fā)現(xiàn)非常近在《自然通訊》上有報(bào)道。
科學(xué)家聲稱(chēng),使用直徑為100 mm的薄晶圓,他們可以在五個(gè)小時(shí)內(nèi)使用脆性材料頂部的金膜形成裂紋,從而制作多達(dá)2000萬(wàn)個(gè)這種電極。
該團(tuán)隊(duì)與TU Delft的van der Zant實(shí)驗(yàn)室合作,設(shè)法在電極之間的納米級(jí)空間中捕獲并檢查了廣泛使用的參考分子,以確認(rèn)金屬管浮子流量計(jì)技術(shù)并未阻礙分子結(jié)的形成。
共同作者之一Shyamprasad Natarajan Raja說(shuō),這種
金屬管浮子流量計(jì)技術(shù)為結(jié)構(gòu)可擴(kuò)展生產(chǎn)的僵局提供了突破,這有一天可能使包含單個(gè)分子的電子設(shè)備成為可能。
關(guān)鍵是要形成能引起隧道現(xiàn)象的間隙,在該隧道中,電子占據(jù)了電路中的突破口。
斷裂結(jié)具有幾個(gè)原子大小的間隙,這會(huì)中斷電子的流動(dòng)。
但是,該間隙很小,具有足夠能量的電子仍然可以跳過(guò)它。
隧道電子能承受很小但可測(cè)量的電流,該電流對(duì)間隙的大小以及間隙中納米物體的存在非常敏感。
該技術(shù)使用光刻技術(shù)在氮化鈦(TiN)上構(gòu)圖一堆金。
將該疊層放置在金屬管浮子流量計(jì)上,新形成的缺口結(jié)構(gòu)會(huì)集中應(yīng)力。
當(dāng)去除疊層正下方的硅時(shí)(一種稱(chēng)為釋放刻蝕的工藝),在TiN的預(yù)定位置會(huì)形成細(xì)小裂紋,從而釋放應(yīng)力。
反過(guò)來(lái),這會(huì)使金變形,將其拉伸成原子細(xì)線穿過(guò)這些裂紋,斷裂時(shí)會(huì)形成像分子一樣小的間隙。
Raja說(shuō),該技術(shù)可以用于其他金屬管浮子流量計(jì),具有出色的化學(xué),電學(xué)和等離子體特性,可用于分子電子學(xué)和自旋電子學(xué),生物傳感和納米等離子體學(xué)。